国兴提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及不间断电源（UPS）等领域。针对电源设计领域中，设计人员面临提高系统效率与功率密度，同时降低系统成本的双重挑战，国兴N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM，RDS(on)×Qg）可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为该挑战的完美解决方案。
       N沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。
       注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。

• 低导通电阻
• 优良品质因子
• 高可靠性
• 高性价比