国兴提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。同时，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，国兴N沟道SGT-II系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力，可满足包括直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等广泛应用。此外，相比于国兴上一代SGT-I系列产品，SGT-II系列产品特征导通电阻Ron,sp 降低20%，FOM值进降低20%，为设计人员进一步提高系统效率提供了更优的选择。
       N沟道SGT-II系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。
       注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。

• 超低导通电阻
• 超低栅极电荷
• 大电流关断能力强